擦玻璃 裸舞 兆驰、乾照光电、想坦科技、罗化芯、中科院等公布18项Micro LED专利
近日擦玻璃 裸舞，兆驰半导体、秋水半导体、烁轩半导体、 先禾新材料、罗化芯自大科技、想坦科技、厦门翌日自大等企业以及湖南大学、福州大学、华中科技大学、武汉大学、闽齐鼎新实验室、中国科学院苏州纳米技巧与纳米仿生商榷所等大学和科研机构接踵公布多项Micro LED发明专利。
这些发明专利针对面前Micro LED的痛点淡薄灵验处置决策，分别竣事简化发光结构、简化驱动结构、提高可靠性和良品率、处置刻蚀不净局面、提高芯片的光电性能、提高发光遵守，缩小功耗、提高自大均匀性，减少光串扰局面、提高弥散度、竣事高分辨/高色域/高对比度性能、灵验保护Micro‑LED芯片等技巧阅兵。以下是Pjtime.com从国度学问产权局获悉的近1月公布的部分Micro LED专利。
秋水半导体：Micro-LED自开放拓，提高可靠性和良品率
苏州秋水半导体科技有限公司肯求一项名为“ Micro-LED自开放拓”的发明专利，肯求公布号为CN119133205A，肯求公布日为2024月12月13日，发明东说念主为王前文。
本肯求公开了Micro‑LED自开放拓，Micro‑LED自开放拓包括衬底以及建树于衬底的主名义上的层系组合，其中沿垂直于主名义的见地不雅察，层系组合差别为自大区和外围区，自大区包括以预定形势摆设的多个功能层，并酿成多个自大像素，外围区环绕建树于自大区的外围，并由自大区中的一部分功能层不息酿成，其中Micro‑LED自开放拓还包括终止环，终止环嵌设于外围区内，并随自大区中的另一部分功能层同步酿成，终止环环绕建树于自大区的外围，并与自大区保捏预定间隔。通过上述举止，本肯求过简略提高Micro‑LED自开放拓的可靠性和良品率。
据悉，苏州秋水半导体科技有限公司栽植于2022年11月30日，其领先竣事8英寸Hybrid Bonding Micro-LED工艺通线，竣事原子级平整界面遏抑，竣事了>95%面积的完好意思贴合，领先竣事8英寸Hybrid Bonding Micro-LED工艺通线，并完成数字车灯家具的封装工艺买通和驱动点亮。
烁轩半导体： 一种面向Micro-LED自大的驱动举止及芯片，缩小功耗、提高自大均匀性
安徽烁轩半导体有限公司肯求一项名为“一种面向Micro-LED自大的驱动举止及芯片”的发明专利，肯求公布号为CN119107901A，肯求公布日为2024月12月10日，发明东说念主为赵茂、张若平、刘振阳。
本肯求公开了一种面向Micro‑LED自大的驱动举止及芯片，属于触及LED自大技巧领域，包括：获得待自大图像的像素点总额；左证像素点总额，将待自大图像差别为多个子区域，每个子区域包含由多个驱动单位构成的像素阵列；将每个像素点的灰度数据通过预设条约传输至对应子区域的驱动单位；驱动单位选择行信号、灰度数据、基准电流以实时钟信号手脚输入信号；当选择到行信号时，驱动单位将灰度数据改造为PWM信号，PWM信号的占空比由灰度数据决定；左证PWM信号遏抑基准电流的输出时代，从而生成与灰度数据对应的驱动电流，驱动像素点发光。针对现存技巧中Micro‑LED自大驱动芯片功耗大，本肯求在缩小功耗的同期提高了自大均匀性。
安徽烁轩半导体有限公司栽植于 2023年9月，是一家行业技巧超过的集成电路筹算企业，全资收购并基于南京浣轩开展光电芯片驱动(遏抑)业务。主营家具为微自大驱动、微背光驱动、微投影驱动及应用处置决策，家具主要应用在超高清自大、车载自大、车载微投影(前后大灯)等领域。依然一语气5年为央视春晚提供优质LED驱动芯片家具与玄虚处置决策。本年4月，烁轩超高清自大及车规级芯片形式开工。
兆驰半导体：低电压Micro-LED外延片过甚制备举止，提高发光遵守
江西兆驰半导体有限公司肯求一项名为“ 低电压Micro-LED外延片过甚制备举止”的发明专利，肯求公布号为CN119069598A，肯求公布日为2024月11月22日，发明东说念主为胡加辉、郑文杰、高虹、刘春杨、金从龙。
本发明公开了一种低电压Micro‑LED外延片过甚制备举止、Micro‑LED，触及半导体光电器件领域。低电压Micro‑LED外延片按次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、大宗子阱层、电子拒抗层、P型GaN层和P型构兵层；其中，所述P型构兵层包括按次层叠于所述P型GaN层上的多孔AlInN层、二维P型BGaN层、AlN粗化层、P型BInGaN纳米团簇层和P型AlInGaN粗化层；其中，所述多孔AlInN层通过H2刻蚀AlInN层制得，所述P型AlInGaN粗化层通过N2粗化P型AlInGaN层制得。本质本发明，可缩小使命电压，且提高光索求遵守，进而提高发光遵守。
兆驰半导体：高光效Micro-LED外延片过甚制备举止：提高发光遵守
江西兆驰半导体有限公司肯求一项名为“高光效Micro-LED外延片过甚制备举止”的发明专利，肯求公布号为CN119050225A，肯求公布日为2024月11月29日，发明东说念主为胡加辉、郑文杰、高虹、刘春杨、金从龙。
本发明公开了一种高光效Micro‑LED外延片过甚制备举止、Micro‑LED，触及半导体光电器件领域。Micro‑LED外延片按次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、大宗子阱层、空穴膨胀层、空穴存储层和空穴层；空穴膨胀层为周期性结构，每个周期均包括按次层叠的BN层和Mg轻掺GaN层；空穴存储层为周期性结构，每个周期均包括按次层叠的GaN层、InGaN层和Mg掺AlGaN层；空穴层为周期性结构，每个周期均包括按次层叠的P型BInGaN层、Mg3N2层和P型GaN层；P型GaN层的掺杂浓度≥1×1019cm‑3。本质本发明，可提高发光遵守。
兆驰半导体：一种Micro-LED芯片过甚制备举止：提高良率
江西兆驰半导体有限公司肯求一项名为“一种Micro-LED芯片过甚制备举止”的发明专利，肯求公布号为CN119008795A，肯求公布日为2024月11月8日，发明东说念主为汪恒青、张星星、胡加辉、金从龙。
本发明公开了一种Micro‑LED芯片过甚制备举止，该举止包括：提供一外延片；在P型半导体层上制作透明导电层；将制作透明导电层后的外延片舍弃于退火开拓中进行退火处理；对P型半导体层与大宗子阱层进行刻蚀，暴贯通N型半导体层的名义以酿成MESA台面；在MESA台面与透明导电层上分别制作N型电极层与P型电极层；在N型电极层与P型电极层上制作保护层；对保护层、N型电极层与P型电极层进行研磨抛光，使外延片的厚度自一启动厚度改变至一目的厚度；在保护层上制作与N型电极层贯穿的N型焊盘层，以及与P型电极层贯穿的P型焊盘层。本发明旨在处置现存技巧中Micro‑LED芯片基本只可依靠金属键合，而焊盘名义的抵御整会导致键合时良率不高的技巧问题。
兆驰半导体：一种蓝光Micro-LED的外延片过甚制备举止
12月10日，该专利插足授权阶段。
本发明触及半导体材料技巧领域，公开了一种蓝光Micro-LED的外延片过甚制备举止，外延片中大宗子阱发光层包括按次层叠孕育的第一浅蓝光大宗子阱层擦玻璃 裸舞，第二浅蓝光大宗子阱层，第三蓝光大宗子阱层和第四浅蓝光大宗子阱层；第一浅蓝光大宗子阱层为按次周期性轮流孕育的第一InGaN大宗子阱层与第一大宗子阱复合垒层的超晶格结构；第二浅蓝光大宗子阱层为按次周期性轮流孕育的第二InGaN大宗子阱层与第二大宗子阱复合垒层的超晶格结构；第三蓝光大宗子阱层为按次周期性轮流孕育的第三InGaN大宗子阱层与Si掺GaN大宗子垒层的超晶格结构；第四浅蓝光大宗子阱层为按次周期性轮流孕育的第四InGaN大宗子阱层与的超晶格结构。
本质本发明，可提高Micro-LED在低使命电流密度下的光效、良率。
兆驰半导体：一种蓝光Micro-LED的外延结构过甚制备举止，提高光效、良率
12月10日，该专利插足授权阶段。
本发明触及半导体材料的技巧领域，公开了一种蓝光Micro-LED的外延结构过甚制备举止，外延结构包括衬底，第四色官网在所述衬底上按次层叠的缓冲层，N型半导体层，低温应力开释层，大宗子阱发光层，电子拒抗层和P型半导体层，所述大宗子阱发光层包括由下至上按次层叠孕育的第一浅蓝光大宗子阱子层，第二浅蓝光大宗子阱子层，第三蓝光大宗子阱子层和第四浅蓝光大宗子阱子层，其中每层子层均为InGaN大宗子阱层与大宗子垒层的超晶格结构。
本质本发明，可缩小孕育InGaN量子阱时的应力，显耀改善大宗子阱发光层的质地，同期提高P型半导体层的空穴注入遵守，从而提高Micro-LED芯片在低使命电流密度下的光效、良率等性能，适用于小尺寸、低电流以及低功率的蓝光Micro-LED。
兆驰半导体：一种Micro-LED的外延结构过甚制备举止，提高发光亮度
12月3日，该专利插足授权阶段。
本发明触及半导体材料的技巧领域，公开了一种Micro-LED的外延结构过甚制备举止，所述外延结构包括衬底，在所述衬底上按次层叠的缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂GaN层，插入层，大宗子阱层，电子拒抗层，P型掺杂GaN层和构兵层；其中，所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上按次建树的AlN层、图形化的GaSb层、Al金属层和InGaN层。
在N型掺杂GaN层和大宗子阱层之间建树插入层，不错缩小孕育大宗子阱层时的应力，并缩小大宗子阱层的位错密度，提重大批子阱层的晶体质地，从而提高Micro-LED的内量子遵守，缩小使命电压，提高发光亮度。
先禾新材料：Micro-Led粘贴用导电银胶过甚制备举止与应用举止，使Micro‑Led芯片被100%点亮
先禾新材料（苏州）有限公司肯求一项名为“Micro-Led粘贴用导电银胶过甚制备举止与应用举止”的发明专利，肯求公布号为CN118995105A，肯求公布日为2024月11月22日，发明东说念主为陈实、杨龙、涂照康、黄勇、熊勇。
本发明公开了Micro‑Led粘贴用导电银胶过甚制备举止与应用举止，其中制备举止包括：门径S1：按质地份计配备材料；门径S2：将银盐、醇胺和醇酯溶剂避光要求下用行星式散播开拓散播得到均一液态银胺络合液，避光冷冻存储备用；门径S3：将所述液态环氧树脂、酸酐固化剂以及银络合液在避日光要求下用行星式散播开拓散播得到粘度为1000cps‑5000cps导电银胶。本决策可适用于口径为3μm的EHD喷嘴，同期也能确保选择基材与Micro‑LED芯片的介面粘附大于芯片与底衬之间的作用劲，并在导电银胶固化后酿成导电通路竣事Micro‑Led芯片与金属基板之间导电构兵，使Micro‑Led芯片被100%点亮。
先禾新材料（苏州）有限公司栽植于2022年02月17日，注册成本1，000万(元)，是一家专科电子材料提供商，提供高性能的导热、驻守、导电、粘接等多系列的家具，平时应用于通讯、汽车、忽地电子、家用电器、工控、照明、半导体及电子元器件等领域。
罗化芯：一种AR/VR全彩Micro-LED自大安装过甚制备举止，灵验保护Micro‑LED芯片
罗化芯自大科技开发（江苏）有限公司肯求一项名为“一种AR/VR全彩Micro-LED自大安装过甚制备举止”的发明专利，肯求公布号为CN118969937A，肯求公布日为2024月11月15日，发明东说念主为李雍、陈文娟、王春桃。
本发明触及一种AR/VR全彩Micro‑LED自大安装过甚制备举止，触及半导体自大技巧领域。在本肯求的AR/VR全彩Micro‑LED自大安装的制备举止中，通过建树层叠建树的第一保护层、第二保护层以登科三保护层，且第二保护层的密度大于第一保护层的密度，且所述第二保护层中左近所述第一保护层的一侧的密度小于所述第二保护层的另一侧的密度，且两侧密度差为0.6‑1.5g/cm3；所述第三保护层的密度大于所述第二保护层的所述另一侧的密度，通过建树密度缓缓变化的第二保护层，进而使得第二保护层的精细性缓缓提高，灵验保护第一保护层的同期，使得第二保护层的外名义的刚性加多，且第三保护层的刚性更大，进而在后续摇荡工序以及使用过程中，灵验保护Micro‑LED芯片。
想坦科技：Micro-LED发光结构过甚制作举止和电子开拓，简化了发光结构的加工经由
深圳市想坦科技有限公司肯求一项名为“ Micro-LED发光结构过甚制作举止和电子开拓”的发明专利，肯求公布号为CN118919614A，肯求公布日为2024月11月8日，发明东说念主为吴涛、张珂。
本肯求提供了一种Micro‑LED发光结构的制作举止、Micro‑LED发光结构和电子开拓。该制作举止包括：在衬底上孕育缓冲层和外延层，在外延层上酿成掩模钝化层，干法刻蚀掩模钝化层酿成多个像素空间和多个像素终止部，在刻蚀后的掩模钝化层上逐层酿成量子阱发光层、电子遏抑层和电流扩散层，应用湿法工艺刻蚀像素终止部直至表示外延层，得到在像素空间中酿成的侧壁齐全的台阶像素结构。本肯求的举止制作的Micro‑LED发光结构的侧壁齐全，光电遵守提高，该举止还简化了发光结构的加工经由。
厦门翌日自大：一种具有叠层的Micro-LED芯片过甚制作举止，处置刻蚀不净局面
乾照光电控股子公司厦门翌日自大技巧商榷院有限公司肯求一项名为“ 一种具有叠层的Micro-LED芯片过甚制作举止”的发明专利，肯求公布号为CN118919622A，肯求公布日为2024月11月8日，发明东说念主为段其涛、王乐、冯妍雪、江晟权、柯志杰。
本发明提供了一种具有叠层的Micro‑LED芯片过甚制作举止，驾驭呈路线状的叠层技巧，使整个的P型半导体层在相应的路线面各自具有电极接入区域，可在竣事第一发光结构、第二发光结构以登科三发光结构的孤苦驱动的基础上，可最大规定地从简晶圆面积竣事全彩化，缩小分娩成本；同期谀媚所述第一发光结构的P型半导体层和所述第二发光结构的P型半导体层通过绝缘键合层进行键合的建树，如斯可幸免团员物粘合剂在键合所述第一发光结构和第二发光结构过程中所出现的因键合厚度不均匀而导致的刻蚀不净局面。
厦门翌日自大技巧商榷院有限公司栽植于2020年04月15日，注册成本1055 万元东说念主民币，其中厦门乾照光电股份有限公司认缴出资额 1000 万元，苏州亚禾亚韩光电产业投资结伙企业（有限结伙）认缴出资额 21.1 万元，柯志杰认缴出资额 33.9 万元。三者分别捏股94.78673%、2%和3.21327%。
湖南大学：防光串扰的堆叠结构Micro-LED自大模块过甚制备举止，减少光串扰局面、提高弥散度
湖南大学肯求一项名为“ 防光串扰的堆叠结构Micro-LED自大模块过甚制备举止”的发明专利，肯求公布号为CN119133208A，肯求公布日为2024月12月13日，发明东说念主为陈舒拉、廖小琴、易潇、潘安练。
本肯求公开了防光串扰的堆叠结构Micro‑LED自大模块过甚制备举止；触及光学半导体领域，该自大模块包括多个阵列建树的像素点单位，像素点单位包括堆叠建树的基板层和钝化层，基板层和钝化层之间设有多个发光区块，多个发光区块堆叠建树；每个发光区块上均设有N电极，多个N电极之间相互不连通，多个发光区块共同贯穿有P电极；N电极与P电极之间通过钝化层终止；该举止是通过逐层堆叠并图案化制备的该自大模块；本肯求将多个发光区块的电极分隔建树，正反向电压或电流的遏抑下，使短波长LED对长波长LED光致发光效应产生的光生载流子反向移动，不在发光层复合发光，竣事不同波长统统依靠电遏抑发光，在外加偏压调控的情况下，减少多色堆叠Micro‑LED芯片中光串扰的局面，提高Micro‑LED自大的弥散度。
福州大学：一种基于电感储能的共用数据引线彩色Micro-LED器件驱动结构，简化驱动结构
福州大学肯求一项名为“ 一种基于电感储能的共用数据引线彩色Micro-LED器件驱动结构”的发明专利，肯求公布号为CN119107899A，肯求公布日为2024月12月10日，发明东说念主为林珊玲、苗华康、林坚普、林志贤、吕珊红、郭太良。
本发明公开了一种基于电感储能的共用数据引线彩色Micro‑LED器件驱动结构，包括：原色像素电路、行扫描引线、列数据引线、P型沟说念薄膜晶体管开关以及N型沟说念薄膜晶体管开关；原色像素电路包括两个相互并联且电极相背的原色微发光二极管，两个原色微发光二极管各自串联一个储能电感，原色像素电路与P型沟说念薄膜晶体管的漏极相贯穿，原色像素电路的相对侧分别接地和贯穿N型沟说念薄膜晶体管开关的漏极；P型沟说念薄膜晶体管开关的栅极与行扫描引线相贯穿，P型沟说念薄膜晶体管开关的源极与列数据引线相贯穿；N型沟说念薄膜晶体管开关的源极和栅极均贯穿至行扫描引线。本发明在保证发光成像质地的同期，简化驱动结构。
华中科技大学：一种光子晶体增强出光的深紫外micro-LED芯片过甚制备举止，提精好意思紫外芯片的外量子遵守
华中科技大学肯求一项名为“一种光子晶体增强出光的深紫外micro-LED芯片过甚制备举止”的发明专利，肯求公布号为CN119069586A，肯求公布日为2024月12月3日，发明东说念主为魏御繁、陈桢宇、戴江南。
本发明触及光子晶体增强出光的深紫外micro‑LED芯片过甚制备举止，属于发光电子技巧领域。本发明在MESA台面周围泄露的n‑AlGaN外延层驾驭纳米球刻蚀技巧制备出周期性光子晶体结构，从而竣事深紫外micro‑LED光索求的提高。本发明淡薄通过在泄露的n‑AlGaN层引入周期与有源层辐射波长特殊的光子晶体结构，通过光栅衍射效应加多了光的散射旅途，提高了深紫外micro‑LED的光索求遵守；同期取舍对紫外光具有较高反射率的Al基金属膜手脚N电极贯穿金属，不仅不错贯穿不同台面周围的N电极以酿成完整回路，又可反射紫外光至衬底一侧，进一步提高了芯片的光索求遵守，最终提高了整个这个词深紫外芯片的外量子遵守。
武汉大学：一种基于空腔图形化衬底的Micro-LED芯片制备举止，提高芯片的光电性能
武汉大学肯求一项名为“ 一种基于空腔图形化衬底的Micro-LED芯片制备举止”的发明专利，肯求公布号为CN119050209A，肯求公布日为2024月12月13日，发明东说念主为周圣军、廖喆夫、蒋晶晶。
本发明公开了一种基于空腔图形化衬底的Micro‑LED芯片制备举止，包括：1)提供外延片，所述包括衬底和外延层，所述外延层包括AlN缓冲层、n‑GaN层、有源区层、p‑AlGaN电子拒抗层和p‑GaN层；2)在所述p‑GaN层名义千里积一层SiO2保护层；3)驾驭纳秒脉冲激光对所述外延层进行扫描刻蚀，酿成沟槽；4)驾驭热化学腐蚀对所述沟槽进行腐蚀，在所述衬底与所述AlN缓冲层界面长入所述沟槽区域酿成空腔微结构；5)去除门径2)中所述SiO2保护层，引入ITO层，并对所述ITO层进行刻蚀以酿成图形化ITO层；6)在所述图形化ITO层上千里积一层SiO2钝化层，在所述SiO2钝化层蒸镀p电极和n电极，酿成所述Micro‑LED芯片。该举止制备的Micro‑LED芯片的正面光输出功率，提高了芯片的光电性能。
闽齐鼎新实验室：一种全彩多功能Micro-LED自大安装及制备举止、光源器件，竣事高分辨、高色域、高对比度、稚子耗
闽齐鼎新实验室肯求一项名为“ 一种全彩多功能Micro-LED自大安装及制备举止、光源器件”的发明专利，肯求公布号为CN119050242A，肯求公布日为2024月11月29日，发明东说念主为关天用、李阳。
本发明公开了一种全彩多功能Micro‑LED自大安装及制备举止、光源器件，该安装通过喷墨打印技巧集成了红、绿、近红外量子点像素阵列，不仅竣事了高分辨、高色域、高对比度、稚子耗的自大恶果，况兼还具备了面部识别和多参数生理监测的附加功能。所述的安装以蓝光Micro‑LED芯片手脚引发光源，通过喷墨打印形势在芯片上酿成红、绿、近红外像素阵列，竣事全彩自大的同期，驾驭近红外量子点较高的组织穿透智力，安装不错进行面部特征的非构兵式识别和多种生理参数的检测。该安装在智能自大、安全监控和健康监测等领域具有平时应用远景。
中科院纳米商榷所：Micro-LED芯片过甚制备举止与应用，提高芯片的分娩遵守和良品率
中国科学院苏州纳米技巧与纳米仿生商榷所肯求一项名为“ Micro-LED芯片过甚制备举止与应用”的发明专利，肯求公布号为CN119008821A，肯求公布日为2024月11月21日，发明东说念主为张晓东、查强、夏先海、曾中明、张宝顺。
本发明公开了一种Micro‑LED芯片过甚制备举止与应用。该Micro‑LED芯片包括LED芯片结构和第一超名义导电结构层，该第一超名义导电结构层包括：电性谀媚于LED芯片结构的出光面上的第一导电层；以及，与第一导电层层叠建树和/或一体建树的超名义结构；该超名义结构至少用于对从该出光面射出的光的出射角度或波前程行调控。基于本发明的技巧决策擦玻璃 裸舞，不错竣事Micro‑LED芯片的全彩化，加多出光率和准直性，并不错聘请大畛域圭臬半导体工艺制程竣事Micro‑LED芯片的制备和Micro‑LED像素与自大单位的一体化，提高Micro‑LED芯片的分娩遵守和良品率、缩小成本。